瑞能半导体于近日发布碳化硅MOSFET及二极管增强型热性能封装技术

采用顶部散热的TSPAK器件实现高效、高功率密度并降低电磁干扰，提升汽车、可再生能源及大功率服务器应用的可靠性

瑞能半导体于近日发布了高散热效率TSPAK封装的碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD），使用新封装技术提升多种高功率的应用效率、减小外形尺寸、延长可靠性并降低电磁干扰（EMI）。

碳化硅通过器件表面散热（而非传统PCB基板散热）。使用瑞能的顶部散热TSPAK技术，结对环境（J-A）热阻最高可降低16%。该封装方案简化了热管理设计，降低损耗并提高功率密度。

TSPAK器件减少了对复杂PCB冷却的需求，从而降低了元件数量和系统成本。此外，其支持更多次数的功率循环，延长了可靠性，同时降低了电磁干扰，简化了系统电磁兼容（EMC）设计。电磁干扰的减少是由于电流回路产生的磁场不再被传统底部散热设计中的散热孔阻挡，可直接返回源端，从而减少磁干扰。

瑞能的TSPAK碳化硅技术适用于电动汽车（EV）车载充电器、高低压DC-DC转换器、汽车空调压缩机、充电桩、光伏可再生能源系统及计算与通信服务器电源。TSPAK MOSFET的电压范围为650V至1700V，导通电阻（RDS(on)）额定值为20mΩ至150mΩ；TSPAK SBD的电压范围为650V至1200V，电流额定值为10A至40A。所有产品均提供工业级和车规级版本。

更多产品信息请访问瑞能半导体官网。

关于瑞能半导体

瑞能半导体于2015年成立，是由恩智浦半导体与北京建广资产管理有限公司（建广资本）合资成立的全球性企业。作为半导体行业的重要参与者，瑞能结合先进的双极功率技术与建广资本在中国制造业和分销渠道的资源优势，专注于开发包括可控硅、功率二极管、高压晶体管、碳化硅器件在内的行业领先双极功率产品。这些产品广泛应用于汽车、通信、计算机及消费电子、智能家电、照明和电源管理市场，助力客户提升成本效益与生产效率，推动中国及全球智能制造发展。详情请访问https://www.ween-semi.com/cn

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