瑞能半导体
自诞生以来,瑞能已走过逾 50 年辉煌历程。
作为全球功率半导体行业的佼佼者,瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合,公司主要产品主要包括碳化硅器件,可控硅整流器和晶闸管,快恢二极管,TVS,ESD,IGBT,模块等。
产品广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。瑞能始终以优化客户体验,提升运营效率,强化核心技术为目标,推动全球智能制造行业的向前发展!
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愿景
成为全球领先的功率半导体供应商。
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使命
我们通过为客户提供各种高度可靠、高性价比和勇于创新的功率半导体器件,让客户在具体应用中实现最佳效率。
发展历程
瑞能半导体;依托恩智浦;在功率半导体领域拥有50多年的领先经验
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2025
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2024
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2023
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2022
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2021
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2019
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2015
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2006
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1969
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2025
Top side cooling TSPAK & TOLT
1400V/2200V SiC MOSFET & SBD
750V Auto-Grade SiC MOSFET
G3 Super Junction MOSFET
G2 SGT MOSFET
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2024
Gen 6 Ultrasoft Ultrafast recovery Diodes
SiC power modules
1200V Auto-Grade SiC MOSFET
Gen-3 Micro Trench Series
G2 Super Junction MOSFET
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2023
Auto Grade SiC MOSFETs
SiC MOSFET Power Modules
Thyristors Power Modules
IGBT Power Modules
G2 1200V IGBT
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2022
Si-MOSFET
Automotive Power Diodes
Gen2 SiC MOSFETs
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2021
Gen1 SiC MOSFETs
Gen6 SiC Schottky Barrier Diode
Gen3 Schottky Barrier Diodes
Gen4 600V/650V FRD
IGBT
TVS/ESD
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2019
Auto Grade SiC Schottky Barrier Diode
Standard Power Diodes
Automotive SCRs
1600V Planar SCRs
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2015
Gen 1 SiC Schottky Barrier Diode
Enhanced Efficiency Pt Planar Diodes (EEPP)
Gen 2 Schottky Barrier Diodes
High Voltage SCRs
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2006
SuperAdvanced Best Efficiency RectifierDiodes (SABER)
Gen1 Schottky Barrier Diodes
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1969
High Voltage Transistors (HVT)
Fast, Ultrafast & Hyperfast Power Diodes
Bipolar 4-Quadrant Triacs
管理团队
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沈鑫
瑞能半导体总裁
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陈松
COO
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汤子鸣
CFO
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尹晨丰
瑞能半导体全球销售及市场副总裁
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