碳化硅器件

瑞能产品系列目前提供650V和1200V 两种耐压规格，以更小的芯片尺寸、更薄的品圆厚度，提供最佳产品竞争力。以最新一代的650V G6产品为例,着重优化了肖特基接触与PN结面积比例，有着超低VI(标准值1.26V)，而且通过外延掺杂浓度的优化以及晶圆减薄，降低通态阻抗进一步减小了正向压降。引入了创新的MPS结构，显著提高了抗浪涌电流能力。广泛应用的银烧结封装工艺，实现了产品性能和可靠性的完美结合。

以12mΩ/1200V为代表的第二代平面栅SiC MOSFET 在晶圆设计上通过优化JFET 宽度、源极 接触区宽度等关键参数，采用更小的元胞尺寸，结合先进的SiC晶圆减薄技术，带来极低的 Ron,sp=3mΩ*cm2@20Vgs。兼容15V 和18V 驱动电压，拓宽了应用场景。且经过了门极 -12V~+24V偏压的HTGB可靠性测试，对应更大的门极驱动电压范围以及同类产品中最优秀的门极寿命(TDDB)表现。