硅基功率MOSFETs

瑞能提供丰富的硅MOSFETs产品组合，得益于先进的封装技术为功率系统设计提供高性能、高质量的解决方案。

瑞能高压MOSFET采用超结技术，最新的三代产品具有业界领先的超低特征导通电阻（Ron,sp），是工业电机驱动、太阳能逆变器、UPS系统及服务器电源等高能效应用的理想选择；其电压等级高达900V，可提供符合工业标准的多系列封装。

瑞能中低压MOSFET采用先进的分离栅沟槽型功率MOSFET结构，提供卓越的低FOM(Qg)，可以最大限度降低损耗；该系列针对高频运行和紧凑型设计进行了优化，适用于DC-DC转换器、BMS、电机控制和汽车电子系统等应用，其电压范围12V-250V，可提供多样化的SMD贴片及插件封装，为设计提供更高的灵活性。