质量与可靠性-瑞能半导体

瑞能半导体建立了严格的质量管理体系，公司获得 ISO 9001 和IATF 16949（汽车行业）质量管理体系认证。

通过建立和执行标准化的质量流程，构建了从产品设计开发到制造、测试、包装的全过程，和产品的全寿命周期的管理体系，确保一流的产品品质和服务。

同时，瑞能建有高效的绩效测评、标杆分析、资源配备与沟通机制，并持续运用多元化质量工具与方法优化产品与工艺，驱动公司持续改进与创新。

在环境保护方面，瑞能同样恪守承诺，其晶圆生产基地和封装基地均严格遵循 ISO 14001 环境管理体系标准。

认证证书

瑞能半导体致力于企业管理体系的标准化，已获得IATF16949、QC080000、ESD S20.20等认证。

ISO 9001

国际标准化组织（ISO）推出的质量管理体系，确保企业能稳定地向顾客提供高质量的产品或服务。同时使企业实现效益，持续发展。

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ISO 14001

国际标准化组织（ISO）推出的环境管理体系，确保在环境管理方面达到了国际水平，确保企业在生产过程、产品及各类活动中的污染物控制达到相关要求，并不断改善。

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ISO 45001

国际标准化组织（ISO）推出的职业健康安全管理体系, 旨在预防工作中的伤害和疾病，建立更安全的工作环境，提升职业健康安全。

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IATF 16949

国际汽车工作组(IATF)在ISO 9001的基础上，建立的汽车行业质量管理体系标准，对汽车行业零部件生产和过程开发提出的技术和方法的要求。

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CNAS

中国合格评定国家认可委员会(CNAS)认证的可靠性测试和失效分析实验室，符合CNAS-CL01 和 ISO 17025标准要求。

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QC 080000

QC 080000标准是国际电工委员会 (IEC) 下属机构IECQ发布，旨在帮助企业针对其产品零部件中的有害物质实施有效的管理，展示企业的产品或零部件符合相关国家、地区法律法规

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实验中心简介

瑞能半导体实验中心拥有一流的半导体测试及分析设备，实验项目严格遵循IEC、 JEDEC、AECQ等国际和国内标准，核心业务涵盖可靠性测试验与失效分析。

实验中心于2019年成功通过中国合格评定国家认可委员会（CNAS）认证和IATF 16949审核，标志着中心的测试和管理能力达到行业先进水平。

瑞能半导体科技股份有限公司实验中心

地址：中国江西南昌
+86 0791-85952909

可靠性测试
失效性分析

可靠性是产品最基本也是最重要的质量特性。实验室依据行业国际标准建立，具有完备的实验能力，可进行电子产品可靠性增长试验、可靠性鉴定试验、寿命试验等，并可根据客户需求进行定制可靠性实验。
- 检测项目：高温反偏试验模块（HTRB）
  - 覆盖产品：
    
    IGBT/Diodes/SCR模块
  - 检测能力：
    
    电压最大3000V
  - 执行标准：
    
    MIL或客户自定义等
- 检测项目：无偏压的高加速应力试验（UHAST）
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    温度130℃/110℃ 湿度85%
  - 执行标准：
    
    JEDEC，AEC或客户自定义等
- 检测项目：可焊性试验（Solderability）
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    有铅、无铅均可进行
  - 执行标准：
    
    JEDEC，AEC或客户自定义等
- 检测项目：高温储存试验（HTSL）
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    温度最高300℃
  - 执行标准：
    
    GB，JEDEC，AEC或客户自定义等
- 检测项目：高温门极试验（HTGB）
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、 IGBT等分立器件
  - 检测能力：
    
    温度最高150℃；电压最高2000V
  - 执行标准：
    
    JEDEC，AEC或客户自定义等
- 检测项目：高低温循环试验（TCT）
  - 覆盖产品：
    
    模块、MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    温度范围：-75℃~250℃
  - 执行标准：
    
    MIL，AEC或客户自定义等
- 检测项目：间歇寿命试验（IOL）
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    ΔTj≧100℃ 电压电流最大80V，60A
  - 执行标准：
    
    MIL，AEC或客户自定义等
- 检测项目：高温工作寿命试验（HTOL）
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    温度最高200℃；电流最高60A
  - 执行标准：
    
    JEDEC，AEC或客户自定义等
- 检测项目：预处理试验（Pre-con）
  - 覆盖产品：
    
    所有SMD类型器件
  - 检测能力：
    
    设备满足各个等级的试验要求
  - 执行标准：
    
    JEDEC，AEC或客户自定义等
- 检测项目：高温高湿反偏试验（H3TRB）
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    温度-45~150℃；电压最高300V
  - 执行标准：
    
    JEDEC，AEC或客户自定义等
- 检测项目：高温反偏实验（HTRB）
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    温度最高200℃；电压最高2000V
  - 执行标准：
    
    JEDEC, AEC或客户自定义等
- 检测项目：高温蒸煮试验（PCT）
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    温度121℃ 湿度100%
  - 执行标准：
    
    JEDEC，AEC或客户自定义等
- 检测项目：低温储存试验（LTSL）
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    温度最低-75 ℃
  - 执行标准：
    
    JEDEC，AEC或客户自定义等
- 检测项目：功率试验模块（IOL）
  - 覆盖产品：
    
    IGBT/Diodes/SCR模块
  - 检测能力：
    
    电流电压500A 20V
  - 执行标准：
    
    MIL或客户自定义等
- 检测能力：设备满足各个等级的试验要求
  - 覆盖产品：
    
    JEDEC，AEC或客户自定义等
  - 检测能力：
    
    高低温循环试验（TCT）
  - 执行标准：
    
    模块、MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
- 检测项目：高加速应力试验（HAST）
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    温度130℃/110℃ 湿度85% 电压最大2000V
  - 执行标准：
    
    JEDEC，AEC或客户自定义等
可对失效或有缺陷的元器件通过使用测试分析技术和分析程序确认其失效现象，分辨失效模式或机理，确定其最终的失效原因，提出改进与预防措施，对改进产品设计，提高工艺技术，减少失效，及仲裁失效事故起着极为重要的作用。
- 检测项目：超声波检测（SAT）
  - 覆盖产品：
    
    IC，分立器件等产品
  - 检测能力：
    
    有分层面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行A-scan（点扫描）、B-scan（纵向扫描）、C-scan（横向扫描）、Through-scan(透射扫描)。
  - 执行标准：
    
    IPC/JEDEC
- 检测项目：样品开封
  - 覆盖产品：
    
    IC，分立器件，模块等产品
  - 检测能力：
    
    激光开封、化学开封、样品剥层。
  - 执行标准：
    
    客户要求
- 检测项目：尺寸测量
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，IC等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    立体成像：最大20-200X；金相成像：最大1000倍；数码成像：最大6000倍
  - 执行标准：
    
    JEDEC，AEC或客户自定义等
- 检测项目：X-ray检测
  - 覆盖产品：
    
    IC，分立器件等产品
  - 检测能力：
    
    最高分辨率2um。具有空洞面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行二维扫描、三维CT扫描。
  - 执行标准：
    
    客户要求
- 检测项目：去层
  - 覆盖产品：
    
    IC，分立器件等产品
  - 检测能力：
    
    化学去层。
  - 执行标准：
    
    客户要求
- 检测项目：拍照
  - 覆盖产品：
    
    MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，IC等分立半导体器件
  - 检测能力：
    
    3D拼图，高低倍光学显微镜
  - 执行标准：
    
    客户要求
- 检测项目：FIB(聚焦离子束)
  - 覆盖产品：
    
    IC，分立器件等产品
  - 检测能力：
    
    FIB(聚焦离子束)机台的应用即是将混合镓、液体及金属的离子源，照射于样品表面以取得影像或去除物质； Cross-Section截面分析：用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。
  - 执行标准：
    
    客户要求
- 检测项目：Probe探针测试
  - 覆盖产品：
    
    分立器件等产品
  - 检测能力：
    
    液晶法-漏电分析，利用液晶感测到IC漏电出分子排列重组，在显微镜下呈现出不同于其他区域的斑状影像，找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域（超过10mA之故障点)。
  - 执行标准：
    
    客户要求
- 检测项目：I-V曲线测试
  - 覆盖产品：
    
    分立器件等产品
  - 检测能力：
    
    曲线追踪仪(CurveTracer)提供半导体电子组件特性量测、电性故障分析量测(EFA,ElectricalFailureAnalysis)及曲线绘图(IV－CURVE)
  - 执行标准：
    
    客户要求
- 检测项目：SEM/EDX(扫描电子显微镜/能谱仪)
  - 覆盖产品：
    
    分立器件等产品
  - 检测能力：
    
    扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时，被激发的区域将产生二次电子、X光信号、背散射电子、透射电子，以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。根据信号强度组成形貌照片，能高倍率观察表面外观形貌。原则上讲，利用电子和物质的相互作用，可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息。
  - 执行标准：
    
    客户要求

RHF Identification Codes

N:EU/CN RoHS不合规=表示所有不符合RoHS的产品，无论是否包含卤素或氧化锑。这包括外部焊端含铅的产品，例如，采用传统SnPb电镀的QFP，以及采用SnPb球栅的BGA。

E:豁免，含铅=表示产品符合EU Directive 2011/65/EU(RoHS)，含有豁免铅，也含有卤素和/或氧化锑。

H:不含卤素和氧化锑，含铅=表示产品符合 EU Directive 2011/65/EU(RoHS)，含有豁免铅，但不含卤素和氧化锑。

G:绿色=表示产品完全符合 EU Directive 2011/65/EU(RoHS)，无豁免，但含有卤素和/或氧化锑。

D:深绿=表示产品完全符合 EU Directive 2011/65/EU(RoHS)，无豁免，不含卤素和氧化锑。

* 每种产品类型的 RHF 代码均可在网站上找到。

* 请在网站上获取化学成分，或咨询您当地的瑞能代表

质量与可靠性

认证证书

实验中心简介

RHF Identification Codes

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