瑞能半导体于近日发布面向AI服务器及通信电源的超级结MOSFET

600V超低电阻MOSFET助力高性能服务器应用提升效率、小型化及热管理

瑞能半导体于近日推出600V超级结MOSFET产品WSJ2M60R065DTL。该器件专为满足人工智能及其他高性能计算需求，可提升效率、减小外形尺寸并简化热管理。

基于瑞能最新一代超级结技术，WSJ2M60R065DTL结合了业界领先的导通电阻（RDS(on)）与优值系数（RDS(on)*Qg），并采用超紧凑TOLL封装。

WSJ2M60R065DTL的额定电流为50A，最大导通电阻为65mΩ，典型阻断电压约700V。其集成优化的正向恢复二极管（FRD）有出色的反向恢复稳健性与平衡的高温性能。该器件的主体二极管可承受1000A/μs的换向速度，特别适用于零电压开关（ZVS）软开关拓扑，在复杂工况下实现高效率。同时，其稳定的电阻性能可在不同电流与温度条件下保持导通电阻一致性。

在开发过程中，瑞能致力于对超级结结构的电荷平衡的精准控制，确保强雪崩耐受性与低容性损耗，优化导通电阻与光电传感器系统（EOSS）的平衡。可靠性是瑞能的首要考虑因素，因此瑞能对所有超级结MOSFET产品均进行了可靠性测试，得出样品一致性优异，具备良好的静电放电性能，且在老化测试中无性能衰减。

更多产品信息请访问瑞能半导体官网。

关于瑞能半导体

瑞能半导体于2015年成立，是由恩智浦半导体与北京建广资产管理有限公司（建广资本）合资成立的全球性企业。作为半导体行业的重要参与者，瑞能结合先进的双极功率技术与建广资本在中国制造业和分销渠道的资源优势，专注于开发包括可控硅、功率二极管、高压晶体管、碳化硅器件在内的行业领先双极功率产品。这些产品广泛应用于汽车、通信、计算机及消费电子、智能家电、照明和电源管理市场，助力客户提升成本效益与生产效率，推动中国及全球智能制造发展。详情请访问https://www.ween-semi.com/cn

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