主题: 瑞能碳化硅SiC MOSFET的简介&产品设计和应用
日期: 2021年12月9日
时间: 5:00PM (北京时间)
时长: 1 个小时
演讲者： Jan Huijink， （Technical Marketing Manager）
碳化硅材料广泛应用于制作中高压功率半导体器件，其宽禁带、高热导率的材料特性在这些应用场合发挥出巨大优势。
瑞能半导体今次推出第一代碳化硅MOSFET，强势补充瑞能已有碳化硅产品阵容。掌握碳化硅MOSFET在诸如UPS、SMPS及EV Charger中的高频PFC（功率因数校正）电路或LLC谐振电路中的使用密码，将为您带来更小的被动元器件体积、更低的使用成本，以及更高的电能转换效率。
参会者可以获悉以下知识点：
为什么我们使用SiC半导体材料来制造MOSFET？
如何开发和高水平的芯片设计？
首批WeEn SiC MOSFET的规格？
可以使用WeEn SiC MOSFET的应用？
想了解一些关键应用的原理？
线上研讨会干货满满， 可以通过以下链接注册并参加我们此次在线研讨会！
Introduction to Silicon Carbide SiC MOSFETs: Design, Products, Applications (on24.com)
