检测项目：高温反偏试验模块（HTRB）
覆盖产品： IGBT/Diodes/SCR模块
检测能力：电压最大3000V
执行标准：MIL或客户自定义等
检测项目：无偏压的高加速应力试验（UHAST）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测能力：温度130℃/110℃ 湿度85%
执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
检测项目：可焊性试验（Solderability）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测能力：有铅、无铅均可进行
执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
检测项目：高温储存试验（HTSL）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测能力：温度最高300℃
执行标准：GB，JEDEC，AEC或客户自定义等
检测项目： 高温门极试验（HTGB）
覆盖产品： MOSFET、 IGBT等分立器件
检测能力： 温度最高150℃； 电压最高2000V
执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
检测项目：高低温循环试验（TCT）
覆盖产品：模块、MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测能力： 温度范围：-75℃~250℃
执行标准：MIL，AEC或客户自定义等
检测项目：间歇寿命试验（IOL）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测能力：ΔTj≧100℃ 电压电流最大80V，60A
执行标准：MIL，AEC或客户自定义等
检测项目：高温工作寿命试验（HTOL）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测能力：温度最高200℃； 电流最高60A
执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
检测项目：预处理试验（Pre-con）
覆盖产品：所有SMD类型器件
检测能力：设备满足各个等级的试验要求
执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
检测项目：高温高湿反偏试验（H3TRB）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测能力：温度-45~150℃； 电压最高300V
执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
检测项目：高温反偏实验（HTRB）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测能力：温度最高200℃；电压最高2000V
执行标准：JEDEC, AEC或客户自定义等
检测项目：高温蒸煮试验（PCT）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测能力：温度121℃ 湿度100%
执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
检测项目： 低温储存试验（LTSL）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测能力：温度最低-75 ℃
执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
检测项目：功率试验模块（IOL）
覆盖产品： IGBT/Diodes/SCR模块
检测能力：电流电压500A 20V
执行标准：MIL或客户自定义等
检测能力：设备满足各个等级的试验要求
执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
检测项目：高低温循环试验（TCT）
覆盖产品：模块、MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测项目：高加速应力试验（HAST）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
检测能力：温度130℃/110℃ 湿度85% 电压最大2000V
执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
